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40G 高速铟镓砷（InGaAs）光电探测器

HSPD4040 型高速探测器模块适用于数字与模拟两种应用场景，模块内置一款铟镓砷 PIN 光电二极管（InGaAs PIN Photodiode），其响应波长范围为 1250-1650nm，并配备必要的匹配电子元件。

HSPD4040 模块的最大带宽可达 40GHz，工作电压为 +5V，兼容标准单模 9/125μm 光纤输入，射频输出端口采用 2.92mm 连接器，阻抗匹配为 50 欧姆。该模块采用密封外壳设计，重量不足 20 克，且符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》2.0 版（ROHS 2.0）标准。

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类别

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产品详细信息

40G 高速铟镓砷（InGaAs）光电探测器

产品特点

带宽范围宽
集成偏置器（Bias-T）
直流耦合（DC Coupled）
密封外壳设计，配备 2.92 型连接器

适用领域

高速光纤通信
雷达信息处理
电子战
高速信号测试与测量
微波光子学

产品选型

典型值与绝对最大额定值
参数	符号	典型值	额定值	单位
储存温度范围	TSTG	-45 ～ +85	-55 ～ +85	℃
工作壳温范围	TC	25	-40 ～ +85	℃
偏置电压	VR	5	5 ～ 6	V
光输入功率	Pin	+3	+10	mW
烧毁光功率	PB		+15	mW
引线焊接温度	Tp	280（10s）	330（10s）	℃

光电器性能参数
参数	符号	最小值	典型值	最大值	单位	备注
响应光谱	λ	1000		1650	nm
小信号带宽（-3dB）	-3dB	35	40		GHz
最大光输入功率	Pm			13	mW	参考备注2,3
响应度	R	0.75	0.85		A/W	参考备注1
幅度平坦度	A		±2		dB
光电二极管偏置电压	Vpd		5	6	V	参考备注3
输出电压驻波比	VSWR		2.5	3
饱和射频输出功率	Pout		-10		dBm
暗电流	Id		1	40	nA
输出阻抗	RL		50		Ω

备注：

1. 测试条件为波长 λ=1310nm、1550nm；

2. 测试条件为温度 25°C、正常偏置；

3. 若器件工作参数超出绝对最大额定值，可能会影响器件可靠性，甚至导致永久性损坏。

典型响应曲线

图 1：40G 光电探测器频率响应曲线

尺寸与引脚（单位：mm）

订货信息

产品型号	备注
HSPD4040	40GHz 光电探测器接收器，配备单模 FC/APC 光纤连接器

注意事项

为避免光纤损坏，光纤弯曲半径不得小于 20mm；

将光纤连接至光电路前，务必确保光纤耦合端面清洁；

器件在储存、运输及使用过程中，需采取适当的静电放电（ESD）防护措施。

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